RF-MBE法により石英ガラス基板上に室温成長したInN/GaNダブルヘテロ構造

摘要

はじめに： 透明薄膜トランジスタには、アモルファスシリコンやIGZOなどの酸化物半導体が使われているが、これらのアモルファスシリコンやIGZOにおける移動度の改善が望まれている。[1] [2]ここで、InN の電子の有効質量は比較的小さいので、高い移動度が期待できる。一方で、InN のバンドギャップエネルギーは小さいので、可視光を通さない。ただし、厚さの薄い InN を用いた InN/GaN ダブルヘテロ構造では、可視光領域における光の透過率を高くすることが可能である。そこで、本研究では、酸化物半導体に比べて柔軟性の高い窒化物半導体のダブルヘテロ構造を石英ガラス基板上に成長することによって、透明薄膜トランジスタへの応用の可能性を検討した。