ミニマルAlN 反応性スパッタ装置の成膜特性

摘要

クリーンルームを不要とする局所クリーン化技術を持ち、1 チップから製造可能な究極の少量多品種デバイス生産に対応するミニマルファブ[1]では、TiN メタルゲートSOI CMOS LSI デバイスの実用化検討の最終段階に入りつつあるが[2]、CMOS LSI 以外にも各種のデバイスを容易に製作、検証、実用化できる柔軟性がある。今までに、ミニマルスパッタ装置によりTiN メタルゲートの反応性スパッタを開発してきたが[3]、その他の機能性材料の開発も有用である。AlN 材料は、高い圧電性から表面弾性波（SAW）デバイス等への適用が期待されているが、高い結晶配向性を得るには高価な単結晶基板上に非常に高いプロセス温度で形成することが必要である。近年、反応性スパッタによる研究が活発に行われてきており[4]、ミニマルスパッタ装置でもこれを試みた。