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【24h】

MoS_2二層膜のバンドギャップのツイスト角依存性に関する理論的研究

机译:MOS_2双层膜带隙扭角依赖性的理论研究

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摘要

遷移金属ダイカルコゲナイド(Transition Metal Dichalcogenide, TMDC)は弱いファンデルワールス(vdW)相互作用で積層する2次元系物質である。TMDCには遷移金属とカルコゲンの組み合わせにより多数の種類があり、また、それらを組み合わせて積層させる自由度から様々な物性のコントロールが期待され精力的に研究が進められている。さらに近年では、積層する層同士を面方向に回転(ツイスト)させることによる物性探索が行われている。最近、MoS2に対してツイスト角を変えることによってバンドギャップが変わることが報告された[1]。本研究では、そのバンドギャップ変化について理論的に調べた。
机译:过渡金属二甲基化物(过渡金属二甲基化物,TMDC)是由弱vundel(Vdw)相互作用层压的二维物质。 TMDC具有大量类型的过渡金属和降硫组合,并且预期各种物理性能控制并从自由中剧烈地研究了组合的自由度。此外,近年来,通过在平面方向上旋转(扭曲)层来执行物理特性搜索。最近,据报道,带隙通过将扭转角改变为MOS2 [1]而改变。在这项研究中,理论上我们在理论上进行了调查了它的带隙变化。

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