並列接続SiC-MOSFETの連続動作におけるジャンクション温度解析

摘要

本研究では，閾値電圧差を有するSiC-MOSFETを2個並 列接続した昇圧チョッパ回路において，デバイスモデルを 用いた電気•熱連成解析を行った。キャリア周波数を20 kHz~200 kHzに変化させた場合，温度差が約1〜8°C生じる。 このように高精度なSiC-MOSFETデバイスモデルを用いた 電気•熱連成解析により，各MOSFETの接合温度の評価が 可能である。今後は，電流値を変化させた場合や，並列接 続されたMOSFET間に寄生インダクタンス差がある場合の 検討に取り組む。