高温域のゲージ率に及ぼすCr薄膜への第2元素添加の影響

摘要

高温でより大きなゲージ率を示す材料の探索ならびにCr薄膜のGfに及ぼす添加元素の影響調査を目的として、Mn、AIおよびNiを第2元素として添加したCr薄膜の高温でのゲージ率およびその挙動について調べた。 1.MnおよびA1を添加した場合、ゲージ率の最大値は低減するが、そのピークが500°C近傍までシフトすること、および約250°Cより高温の領域においてCr薄膜のゲージ率よりも大きな6以上の値を示すことを明らかにした。