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紫外線オゾン処理による塗布型IGZO-TFT の低温化プロセスとFET 特性

机译:紫外线臭氧处理的IGZO-TFT涂层的低温工艺和FET特性

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摘要

UV/O_3 アシスト加熱処理によりIGZO 薄膜内の有機系不純物を除去することで、塗布型 IGZO-TFT の低温プロセスを見出した。この低温プロセスにより、各種フレキシブルディスプレイ、センサ等が期待される。
机译:UV / O_3辅助热处理使IGZO薄膜成为非有机薄膜 去除纯净材料的IGZO-TFT涂层的低温工艺 我发现。通过这种低温工艺,各种柔性设备 显示屏,传感器等是必需的。

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