Monolithic Ge/Si avalanche photodiode receiver for 10Gb/s 1.3μm application

机译：适用于10Gb / s1.3μm应用的单片Ge / Si雪崩光电二极管接收器

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We have developed monolithically grown Ge/Si avalanche photodiodes (APDs) for high data rate and near infrared wavelength fiber communication systems. The surface illuminated APDs demonstrate gain-bandwidth of 153GHz.

机译：我们已经开发了单片生长的Ge / Si雪崩光电二极管（APD），用于高数据速率和近红外波长的光纤通信系统。表面照明的APD的增益带宽为153GHz。

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来源
《LEOS Annual Meeting Conference Proceedings, 2008 IEEE》||P.292-293|共2页
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作者
Kang Y.; Zadka M.; Litski S.; Sarid G.; Morse M.; Paniccia M. J.; Kuo Y. -H.; Bowers J.; Beling A.; Liu H. -D.; McIntosh D. C.; Campbell J.; Pauchard A.;
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中图分类工业技术;
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