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磁性材料の複素透磁率を考慮した単相コモンモードィンダクタの回路シミュレーションモデル

机译:考虑磁性材料复磁导率的单相共模电感器的电路仿真模型

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摘要

本稿では,パーミアンス-キャパシタンスアナロジに基づいた単相CMIの回路シミュレーションモデルを提案した。提案モデルは,各磁性材料が有する複素透磁率の周波数依存性を,磁気回路部の複素パーミアンスによって模擬している。加えて,卷線間に生じる浮遊容量および各相の漏れインダクタンスをモデルに組み込むことで,CMのみならずDMも同時にシミュレーションすることができる。また,モデルは単相CMIの幾何学的形状を反映しているため,各部に生じる浮遊成分に対する直観的な理解が容易である。本稿では,実際に単相CMIを製作し,それらのインピーダンスの測定結果と,構築したモデルのシミュレーション結果を比較した。比較結果より,浮遊成分を適切にモデリングすることで,提案モデルが単相CMIのCMおよびDMインピーダンスを1 kHzから100 MHzまでの幅広い周波数に渡って再現できることを確認した。また,提案モデルは,複素透磁率の周波数依存性を考慮しているため,MnZnフェライトの寸法共鳴に起因するインピーダンス減少も再現できる。今後の課題としては,CMIに生じる浮遊容量および漏れインダクタンスの推定法についての検討が挙げられる。
机译:在本文中,我们提出了一种基于Permas-电容模拟的单相CMI的电路仿真模型。所提出的模型通过磁路部分的复杂渗透模拟每个磁性材料的复杂渗透率的频率依赖性。另外,通过将来自电线产生的杂散电容和每个相的漏电流结合到模型中,不仅可以模拟CM而且可以模拟DM。另外,由于该模型反映了单相CMI的几何形状,因此对每个部件中产生的浮动分量的直观理解容易。在本文中,我们实际制造了单相CMI,并比较了这些阻抗的测量结果和建筑模型的仿真结果。通过从比较结果进行适当地建模浮动组分,证实了所提出的模型可以在1kHz至100MHz的宽频率范围内再现单相CMI的CM和DM阻抗。另外,由于所提出的模型考虑了复杂渗透性的频率依赖性,因此可以通过MNZN铁氧体的尺寸谐振来再现阻抗减小。未来问题包括在CMI中产生的杂散电容和漏电电感的估计。

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