スイッチング損失と電磁ノイズを考慮した直流側バスバー構造とゲート抵抗の最適設計

摘要

本稿ではバスバー構造とゲート抵抗の組み合わせをサージ電圧, スイッチング損失, 振動成分の評価項目で設計する方法を提案した。バスバーは電磁界解析で周波数特性を考慮することにより, 形状の違いによる寄生インダクタンス, 寄生キャパシタンス, 寄生抵抗をまとめてスイッチング特性に反映させることができ, 電気的パラメータではなくバスバー構造をパラメータとして扱った。今回の解析と評価方法によってバスバー構造とゲート抵抗の組み合わせを適切に設計することで, 許容できるサージ電圧においてスイッチング損失と振動成分を抑えることが確認された。