I GBTの損失低減及びターンオフ耐量向上の推移と、高速ターンオフによる 更なる損失低減と不都合なダイナミックアバランシェ発生のトレードオフ

摘要

隆盛を極めるパワーエレクトロニクスのキーデバイスはSiパワー半導体デバイスであり、IGBT、 Power MOSFET, 及びDiodeである。1984年にNon-Latch-Up IGBTが実現して以来33年が経過し、この間、三つのトレードオフー低 損失、高速、非破壊-の両立を図りながら不断に改良が続 けられた。