多層セラミック基板を用いた低インダクタンスモジュールのスイッチング特性に関する一検討:スナバコンデンサのモジュール基板実装によるサージ電圧抑制効果

摘要

本研究では、SiCデバイスの利点を生かした高速スイッチング動作を実現するために、低インダクタンス化によるサージ電圧の低減を目的とした多層セラミック基板を用いたSiCハーフブリッジモジュールを製作し、その妥当性をダブルパルス試験によって検証した。スナバコンデンサをモジュール基板に直接取り付けることで回路上の寄生インダクタンスの影響を除去し、スイッチングサージを低減することができた。これによりスイッチング速度を落とすことなくサージ電圧を低減することができることを確認した。