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【24h】

A 12mW all-digital PLL based on class-F DCO for 4G phones in 28nm CMOS

机译:一个基于F类DCO的12mW全数字PLL,适用于28nm CMOS的4G手机

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摘要

We propose a new architecture of an all-digital PLL (ADPLL) for advanced cellular radios that is optimized for 28 nm CMOS. It is based on a wide tuning range, fine-resolution class-F DCO with only switchable metal capacitors and a phase-predictive TDC. The 8mW DCO emits −157 dBc/Hz at 20MHz offset at ∼2 GHz, while fully satisfying metal density rules. The 0.4mW TDC clocked at 40MHz achieves PVT-stabilized 6 ps resolution for −108 dBc/Hz in-band phase noise. FREF spur is ultra-low at <−94 dBc. The ADPLL supports a 2-point modulation and consumes 12mW while occupying 0.22mm2, thus demonstrating both 72% power and 38% area reductions over prior records.
机译:我们为高级蜂窝无线电提出了一种全数字PLL(ADPLL)的新架构,该架构针对28 nm CMOS进行了优化。它基于宽的调谐范围,精细的F类DCO,仅具有可切换的金属电容器和可预测相位的TDC。 8mW DCO在〜2 GHz处在20MHz偏移处发射−157 dBc / Hz,同时完全满足金属密度规则。时钟频率为40MHz的0.4mW TDC可实现PVT稳定的6 ps分辨率,带内噪声为-108 dBc / Hz。 FREF杂散非常低,<-94 dBc。 ADPLL支持2点调制,功耗为12mW,而占用面积为0.22mm2,因此与先前的记录相比,功耗和面积减小了72%。

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