最外殻に自然酸化膜AlGaOxを持つGaAs/AlGaAsコアマルチシェル型ナノワイヤの特性

摘要

酸化物と半導体を組み合わせた材料は、MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)デバイスに見られるように、個々の材料では達成できない優れた機能を発揮することが期待できる。これまで本研究では、Si基板上に成長させたGaAs/AlGaAsコアシェル型ナノワイヤの選択酸化により、酸化物ヘテロ構造ナノワイヤを作製した。試料の水蒸気酸化は内部構造への損傷が大きく、酸化前に比べ光学的性質を減少させる可能性がある。また、表面積の大きな GaAsナノワイヤから高い発光強度を得るためには、表面パッシベーションによる表面非発光再結合の抑制が必要である。これらの背景のもと本研究では、ナノワイヤ最外殻に高Al濃度AlGaAs層を形成し、大気に曝露した際発生する自然酸化によるAlGaOxシェル形成を試みた。