Siイオン注入プロセスを用いた高純度HVPE-AlN基板表面のn型化

摘要

AlNは高い絶縁破壊電界強度と熱伝導率を有し、近年、低転位密度バルク基板の作製が可能となったことから深紫外線LED作製用としてだけでなく、将来の高出力・高周波電子デバイス作製用の基板としても注目され始めている。しかし、電子デバイス作製用材料として先行するGaNではイオン注入プロセスを用いた局所的導電性制御が精力的に検討されているのに対し、AlNへのイオン注入はほとhど検討されていない。我々のグループでは、低転位密度種結晶を初期基板とし、ハイドライド気相成長（HVPE）法で成長した高純度・低転位密度（< 104 cm~(-2)）AlN厚膜からのAlN基板作製を達成している。今回、このHVPE-AlN基板表面へのSiイオン注入とこれに続く回復アニールによりAlN基板表面のn型化を試みたので報告する。