異なる希釈ガスを用いたRF 低圧テトラメチルシランプラズマにおける電極への入射イオンの質量分析

摘要

ダイヤモンドライクカーボン（ Diamond-LikeCarbon，以下DLC）膜の成膜手法として，プラズマ支援化学気相成長（ Plasma-Enhanced Chemical VaporDeposition, 以下PECVD） 法が多く利用されている．このDLC 膜の中でも,特にSi を含有したDLC 膜（Si-DLC 膜）は低い摩擦係数を示し,低摩擦性が要求される自動車部品等などの摺動部品への応用が期待されている．このとき, Si-DLC 成膜時のプラズマ生成用ガスとしてテトラメチルシラン （Tetramethylsilane，以下TMS）がよく用いられている．ここで, 異なる不活性ガスで希釈されたCH_4 プラズマで成膜されたDLC 膜は, 希釈ガス種によって成膜速度や膜硬度が変化することが報告されているが, このTMS ガスを異なる不活性ガスでの希釈によるプラズマ特性やDLC 膜特性の変化については明らかではない．