2ステップMBEæˆé•·ã«ã‚ˆã‚‹GaSb(001)上InAsã®ãƒ”ット形æˆã®æŠ‘制

摘要

GaSb/InAs 材料系は、多様なバンドラインナップを有するデバイス構造の形成が可能なため、太陽光発電素子、高速電子デバイス、中赤外線発光・受光素子、など種々のデバイスへの適用が有望である。何れにおいても、結晶欠陥や転位の少ないヘテロ構造の形成が重要である。これまでに、GaSb上のInAs成長において高As_2圧下でピットが発生することが報告されている。一方、低As_圧下ではピット形成が抑制され、良好なInAs結晶が得られるが、その成長ウインドウは狭く、生産性向上の観点からより大きな成長トレランスの確保が必要である。そこで今回、InAs成長の成長温度/シーケンス依存性を検討した。その結果、ヘテロ成長初期に低温成長、続いて高温成長を適用した2ステップ成長により、InAs層のピットの発生が抑制され、極めて平坦性の良い表面が得られることが判明したので報告する。