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【24h】

フエムト秒レーザーの電界誘起第二高調波発生の特性

机译:电场引起的光秒激光二次谐波的产生特性

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摘要

パルス幅が40 fsのレーザー光を用い、電界誘起第二高調波の発生特性を測定した。分光器とICCDカメラを用いて、第二高調波スぺクトルの外部電界およびレーザーエネルギーに対する変化を計測した。レーザーエネルギーを0.22mJかち3.0mJまで変化させた時、SHGの信号強度はレーザーエネルギーに対して二次関数的に増加した。また、3.0mJのレーザーエネルギーを用いた実験において、第二高調波の信号強度は外部電界に対して二次関数的に増加した。以上のように、レーザー誘起プラズマの発生閾値(〜0.5mJ)以上のレーザーエネルギーにおいても、第二高調波の発生強度は、外部電界およびレーザーエネルギーに対して理論通り二次関数的に増加した。これにより、レーザーエネルギーが0.22 mJの時に比べ、3.0 mJでは信号強度は80倍に増加した。また、レーザー光集光後の基本波のスぺクトル形状は、レーザーエネルギーの增加に伴い大きく変化したが、第二高調波のスぺクトルの形状には大きな変化は観測されなかった。
机译:使用脉冲宽度为40 fs的激光测量电场感应的二次谐波的产生特性。分光镜和ICCD摄像机用于测量二次谐波频谱相对于外部电场和激光能量的变化。当激光能量从0.22 mJ变为3.0 mJ时,SHG的信号强度相对于激光能量呈二次方增加。此外,在使用3.0 mJ激光能量的实验中,二次谐波的信号强度相对于外部电场呈二次方增加。如上所述,即使在等于或高于激光诱导的等离子体产生阈值(〜0.5 mJ)的激光能量下,作为关于外部电场和激光能量的理论,二次谐波的产生强度也呈二次方增加。 。结果,与激光能量为0.22mJ时相比,信号强度在3.0mJ下增加了80倍。另外,激光聚焦后的基波的频谱形状随着激光能量的增加而发生显着变化,但是二次谐波频谱的形状未见显着变化。

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