650V耐圧車載グレードのGaNパワートランジスタの開発

摘要

横型GaN HEMTと低耐圧Si MOSFETをカスコード接続して標準的なパワートランジスタのパッケージに納めた高耐圧GaNパワートランジスタを開発した。650V耐圧の製品群は、車載半導体の信頼性試験であるAEC-Q101にパスしたものをラインナップし量産中である。また、900V耐圧の製品もすでに開発済みである。