蒸着Sn膜の硫化によるSnS_2薄膜のバイオセンサ応用

摘要

本研究では,CVD装置を用いて,Sn膜の硫化温度を変えることによりSnS_2が成膜される条件について調査を行った.その結果,硫化温度が280°C~400°CでSnS_2を得ることができた.そこから得られたSnS_2薄膜をpHセンサとして応用しIV特性を評価した.センサの評価には拡張ゲート型電界効果トランジスタ(EGFET)により評価を行った.これをpHセンサとして評価したところ,感度17.1mV/pH,直線性99.97%を示した.