Reliability; Current distribution; Temperature measurement; Protocols; Resistive RAM; Area measurement;
机译:通过改变基于40 nm Tao_x的RERAM的重置电压来减少85%耐久性误差和数据保留寿命
机译:利用ReRAM独特的电阻变化,为40nm混合存储器开发高度可靠的PUF
机译:利用ReRAM独特的电阻变化,为40nm混合存储器开发高度可靠的PUF
机译:抑制40nm基于TaOx的ReRAM的承受压力的数据保留故障
机译:基于HFO2的RERAM的表征与MIM类存储装置的物理学型号的开发
机译:通过定制的氧化钽ReRAM器件中的非化学计量比的氧气来降低形成电压
机译:基于ReRam物理不可克隆功能(ReRam pUF)的方法 增强软件定义无线网络中的认证安全性