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Silicon Spin Qubit Control and Readout Circuits in 22nm FDSOI CMOS

机译:22nm FDSOI CMOS中的硅自旋量子位控制和读出电路

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摘要

This paper investigates the implementation of microwave and mm-wave integrated circuits for control and readout of electron/hole spin qubits, as elementary building blocks for future emerging quantum computing technologies. In particular, it summarizes the most relevant readout and control techniques of electron/hole spin qubits, addresses the feasibility and reports some preliminary simulation results of two blocks: transimpedance amplifier (TIA) and pulse generator (PG). The TIA exhibits a transimpedance gain of 108.5 dBΩ over a −3dB bandwidth of 18 GHz, with input-referred noise current spectral density of 0.89 pA/√Hz at 10 GHz. The PG provides a mm-wave sinusoidal pulse with a minimum duration time of 20 ps.
机译:本文研究了用于控制和读出电子/空穴自旋量子位的微波和毫米波集成电路的实现,这些电路是未来新兴的量子计算技术的基本组成部分。特别是,它总结了电子/空穴自旋量子位最相关的读出和控制技术,探讨了可行性,并报告了两个模块的初步仿真结果:跨阻放大器(TIA)和脉冲发生器(PG)。 TIA在18 GHz的-3dB带宽上表现出108.5dBΩ的跨阻增益,在10 GHz时的输入参考噪声电流频谱密度为0.89 pA /√Hz。 PG提供最小持续时间为20 ps的毫米波正弦脉冲。

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