Power amplifiers; Power generation; Capacitors; Transistors; Power measurement; Microwave circuits;
机译:一种V波段功率放大器,采用65nm CMOS技术,具有23.7dBm的输出功率,22.1%的PAE和29.7dB的增益
机译:具有32.9%PAE和65nm CMOS功率的15.3 dBm功率的全Ka波段功率放大器
机译:利用基于电压的65nm CMOS电压组合功率的60GHz高输出功率堆叠FET功率放大器的设计
机译:KA带堆叠功率放大器,具有24.8-DBM输出功率和65-NM CMOS技术的24.3%PAE
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:具有锁模结构的2.4 GHz CMOS功率放大器可增强增益
机译:KA波段3堆栈功率放大器,具有18.8 dBm PSAT和23.4%PAE使用22nm CMOS FDSOI技术