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【2h】

Ka-Band 3-Stack Power Amplifier with 18.8 dBm Psat and 23.4 PAE Using 22nm CMOS FDSOI Technology

机译：KA波段3堆栈功率放大器，具有18.8 dBm PSAT和23.4％PAE使用22nm CMOS FDSOI技术

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Janne P. Aikio; Mikko Hietanen; Nuutti Tervo; Timo Rahkonen; Aarno Parssinen;
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年度 2019
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1. A 109 GHz CMOS Power Amplifier With 15.2 dBm Psat and 20.3 dB Gain in 65-nm CMOS Technology [J] . Hyuk Su Son, Joo Young Jang, Dong Min Kang, IEEE microwave and wireless components letters . 2016,第7期

机译：具有65nm CMOS技术的15.2 dBm Psat和20.3 dB增益的109 GHz CMOS功率放大器
2. A 24-28 GHz high-stability CMOS power amplifier using common-gate-shorting (CGS) technique with 17.5dBm Psat and 16.3% PAE for 5G millimeter-wave applications [J] . Jiang Chunshen, Zhang Runxi, Shi Chunqi Analog Integrated Circuits and Signal Processing . 2019,第1期

机译：24-28 GHz高稳定性CMOS功率放大器采用公共栅极 - 短路（CGS）技术，具有17.5dBm PSAT和5G毫米波应用的16.3％PAE
3. A HIGH-VOLTAGE DRIVING 60-GHz POWER AMPLIFIER WITH Psat OF 13 dBm AND PAE OF 9.1% IN 90-nm CMOS FOR IEEE 802.11ad COMMUNICATION SYSTEMS [J] . Jin-Fa Chang, Yo-Sheng Lin Microwave and optical technology letters . 2013,第9期

机译：用于IEEE 802.11ad通信系统的90nm CMOS中具有13dBm的Psat和9.1％的PAE的高速驱动60GHz功率放大器
4. Ka-Band 3-Stack Power Amplifier with 18.8 dBm Psat and 23.4 PAE Using 22nm CMOS FDSOI Technology [C] . Janne P. Aikio, Mikko Hietanen, Nuutti Tervo, IEEE Topical Conference on RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications . 2019

机译：采用22nm CMOS FDSOI技术，具有18.8 dBm P sat 和23.4％PAE的Ka波段3堆叠功率放大器
5. Ka-Band and W-Band Millimeter-Wave Wideband Linear Power Amplifier Integrated Circuits at 30 GHz and 90 GHz with Greater Than 100 mW OutputPowers in Commercially-Available 0.12 Micron Silicon Germanium HBT Technology [D] . Chang, Michael S. 2017

机译：采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路，输出功率超过100 mW
6. 2.4 GHz CMOS Power Amplifier with Mode-Locking Structure to Enhance Gain [O] . Changhyun Lee, Changkun Park -1

机译：具有锁模结构的2.4 GHz CMOS功率放大器可增强增益
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机译：一个5 GHz E3F2类功率放大器，在65nm CMOS上具有51％的PAE和21dBm的输出功率
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机译：18 GHz，10.9 dBm全集成功率放大器，130 nm CmOs中具有23.5％paE

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