Integrated circuits; Power amplifiers; Field effect transistors; 5G mobile communication; Logic gates; Power generation; Wireless communication;
机译:A 26-GHz带高退液效率堆叠 - FET功率放大器IC,具有45-NM CMOS SOI的自适应控制偏置和负载电路
机译:利用基于相位的线性化的高效SOI CMOS堆叠式FET功率放大器
机译:使用SOI技术的W-CDMA应用的高效CMOS堆叠式FET功率放大器
机译:一个28-GHz带堆叠FET线性功率放大器IC,P1DB在56-NM SOI CMOS中的3-DB带36.2%PAE
机译:集成CMOS功率放大器和高效F类氮化镓功率放大器的线性化技术。
机译:180Vpp集成线性放大器用于高压CMOS SOI技术中的超声成像应用
机译:KA波段3堆栈功率放大器,具有18.8 dBm PSAT和23.4%PAE使用22nm CMOS FDSOI技术
机译:18 GHz,10.9 dBm全集成功率放大器,130 nm CmOs中具有23.5%paE