Training; Flash memories; Sensors; Three-dimensional displays; Throughput; Programming; Capacitance;
机译:采用56 nm技术的16 Gb 3位每单元(X3)NAND闪存,写入速率为8 MB / s
机译:一个512GB 3B / Cell 3D闪存在96字线层技术上
机译:3D V-NAND闪存
机译:13.4一个512GB 3位/小区3D 6 TH SUP>高级V-NAND闪存,具有82MB / s的写入吞吐量和1.2GB / S接口
机译:FpB:细粒度功率预算,提高多级单元相变存储器的写入吞吐量