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ナノスケールでの異相界面における熱輸送メカニズム

机译:纳米级异相界面的传热机理

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摘要

熱電変換材料では,変換効率向上のため,電気伝導性を損なうことなく,熱伝導性を抑制することが求められる.電子とフオノンの平均自由行程の差を利用するナノ構造化による制御が注目されており,その1つとしてナノスケールでの界面形成による試みがある.しかし,明確に定義された界面間隔と界面構造のみを持つナノ界面を実験にて意図的に作製し,その界面が熱輸送をどの程度阻害するのかを定量評価することは困難である.このため,多彩な実験結果のみからではナノ界面における熱輸送のメカニズムへの理解に繋がらないことが多い.本研究は計算機実験により,明確に定義されたナノ界面における熱輸送のメカニズムの解明を目的とした.本研究では特に結晶Siと非晶質SiO_2からなるナノ界面に焦点を当て,異相界面による熱伝導への影響の定量評価を試みた.結晶Si/非晶質SiO_2界面は工学的に重要であり、熟電変換材料ゃシリコンデバイスとして幅広く利用されている.また,結晶Si表面の酸化により容易に形成できるため,本研究により得られた知見は,今後実験による検証が可能である.
机译:在热电转换材料中,为了提高转换效率,需要在不损害电导率的情况下抑制热导率,利用电子和声子的平均自由程之差的纳米结构的控制受到关注,其中之一是尝试。形成纳米级的界面,但是,通过实验有意识地创建了仅具有明确的界面间距和界面结构的纳米界面,并且该界面是热传递的,因此难以定量评估其抑制程度。因此,通常不可能仅通过各种实验结果来了解纳米界面处的传热机理,这项研究是基于计算机实验的,目的是阐明明确定义的纳米界面处的传热机理。在本研究中,我们重点研究了由晶体硅和非晶SiO_2组成的纳米界面,并定量评估了异相界面对导热的影响,晶体硅/非晶SiO_2界面在工程中很重要,并已广泛用作成熟的电转换。另外,可以容易地通过结晶性硅表面的氧化来形成,因此,上述发现可以通过将来的实验来验证。

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