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【24h】

八面体Ag_6クラスター構造を有するp型Ag_6Ge_(10)P_(12)の熱電特性に及ぼす不純物ドーピング効果

机译:杂质掺杂对具有八面体Ag_6簇结构的p型Ag_6Ge_(10)P_(12)的热电性能的影响

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摘要

軽元素で構成されるAg_6Ge_(10)P_(12)は、八面体Ag_6クラスターに関連した非調和フオノンに起因する低い熱伝導率によって、中温域において無次元性能指数ZTが0.6程度と大きな値を示す。そのため、新規p型リン系熱電変換材料として注目されており、ごく最近ではGaドープによるキヤリァチューニングによってZTが向上することも報告されている。しかし、熱伝導率の大きなGeを不純物相として含hだ試料のため、点欠陥導入による熱伝導率の低減を効果的に行えておらず、ZTの上昇幅はあまり大きくない。本研究では、不純物相を含まないGaドープされたAg_6Ge_(10)P_(12)において、さらなるの向上が確認できたので報告する。
机译:如图所示,由轻元素组成的Ag_6Ge_(10)P_(12)在中温范围内具有约0.6的大无量纲性能指标ZT,这是由于与八面体Ag_6团簇相关的非谐音素引起的低热导率。因此,作为新型的p型磷热电转换材料受到关注,并且最近报道了通过通过Ga掺杂进行载流子调谐来改善ZT。然而,由于样品包含具有大的热导率的Ge作为杂质相,所以不能通过引入点缺陷来有效地降低热导率,并且ZT的增加不是很大。在这项研究中,我们报道了在不含杂质相的Ga掺杂的Ag_6Ge_(10)P_(12)中证实了进一步的改进。

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