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【24h】

ENERGY BARRIERS IN MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENTS

机译:磁随机存取内存元件中的能量屏障

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摘要

Minimum energy paths and energy barriers are calculated for the free data layer in MRAM (magnetic random access memory) elements using a recently developed method [1] which combines the CINEB-method [2] (climbing image nudged elastic band method) with finite element micromagnetics. The method calculates the magnetic states along the most probable reversal paths for applied fields below the zero temperature switching field.
机译:使用最近开发的方法[1]计算MRAM(磁随机存取存储器)元件中的自由数据层的最小能量路径和能量障碍,该方法[1]将Cineb-Method [2](攀爬图像亮的弹性带方法)与有限元组合微磁性。该方法沿着零温度开关场下方的应用领域的最可能反转路径计算磁性状态。

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