Logic gates; Flash memories; FinFETs; Hafnium compounds; Performance evaluation; Tunneling; Programming;
机译:具有高κ介电常数和SiGe外延衬底的非易失性电荷陷阱存储电容器的改进工作特性
机译:具有Mahas结构的P沟道电荷俘获型FOI-FINFET记忆的制造与表征
机译:包含SiO2 / Si3N4界面过渡层的p沟道氧化硅-氮化物-氧化物-硅存储器件中电荷俘获特性的表征
机译:具有改进的操作特性的P沟道FOI-MAHAS电荷捕获存储器的表征
机译:电荷捕获非易失性半导体存储器件的设计,表征和建模。
机译:通过晶体ZrTiO4电荷陷阱层实现低压操作的闪存
机译:通过NH3POST退火对ZRO2的电荷捕获非易失性存储器的改进的存储器特性