Investigation of alpha-induced single event transient (SET) in 10 nm FinFET logic circuit

机译：研究10 nm FinFET逻辑电路中由α引起的单事件瞬变（SET）

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This paper investigates alpha-induced single event transient (SET) in combinational-logic in 10 nm bulk FinFET technology. FinFET technology improves SET in combinational-logic as well as single event upset (SEU) in flip-flops.

机译：本文研究了10纳米体FinFET技术中组合逻辑中的α诱导的单事件瞬态（SET）。 FinFET技术改善了组合逻辑中的SET以及触发器中的单事件翻转（SEU）。

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来源
《International Reliability Physics Symposium》|2018年|1-4|共4页
会议地点
作者
Taiki Uemura; Soonyoung Lee; Dahye Min; Ihlhwa Moon; Jungman Lim; Seungbae Lee; Hyun Chul Sagong; Sangwoo Pae;
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作者单位

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会议组织
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正文语种
中图分类
关键词
FinFETs; Clocks; Error analysis; Single event upsets; Integrated circuit reliability; Shift registers;

机译：FinFET;时钟;错误分析;单事件不通过;集成电路可靠性;移位寄存器;
入库时间 2022-08-26 15:12:19

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