Inverters; Temperature measurement; Ring oscillators; Bandwidth; Land surface temperature; FinFETs;
机译:0.54 pJ / b 20 Gb / s接地参考单端短距离串行链路,采用28 nm CMOS技术,适用于高级封装应用
机译:基于反相器的16nm CMOS 56-Gb / s PAM-4有线收发器的模拟前端
机译:用于16-NM CMOS的56-GB / S PAM-4有线收发器的基于逆变器的模拟前端
机译:56 GB / S 6 MW 300MUM 2 SUP>逆变运动员的CTLE,用于16 nm CMOS的短距离PAM2应用
机译:基于1-16 GB / S的全数字阶段内插器的时钟和数据恢复电路及深亚微米CMOS晶体管在低温温度下的可靠性研究
机译:用于传感器应用180 nm CMOS过程中SWIPT系统的自适应控制和通信协议的设计
机译:6.8mW 2.5GB / s和42.5mW 5GB / s 1:8 CmOs解复用器