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Enhanced Second-Harmonic Generation in Broken Symmetry III-V Semiconductor Metasurfaces driven by Fano resonance

机译:由Fano共振驱动的对称III-V对称半导体破碎表面中增强的二次谐波生成

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摘要

We use broken symmetry III-V semiconductor Fano metasurfaces to substantially improve the efficiency of second-harmonic generation (SHG) in the near infrared, compared to SHG obtained from metasurfaces created using symmetrical Mie resonators.
机译:与使用对称Mie谐振器创建的超表面获得的SHG相比,我们使用破碎的对称III-V半导体Fano超表面来显着提高近红外中的二次谐波生成(SHG)的效率。

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