2-graphene-Bi Room-temperature optoelectronic detection of valley-locked spin photocurrent in WSe<inf>2</inf>-graphene-Bi<inf>2</inf>Se<inf>3</inf>heterostructures
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【24h】

Room-temperature optoelectronic detection of valley-locked spin photocurrent in WSe2-graphene-Bi2Se3heterostructures

机译:WSe 2 -石墨烯-Bi 2 Se 3 异质结构中谷锁自旋光电流的室温光电检测

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摘要

Using a lateral WSe2-graphene-Bi2Se3heterostructure, we generate the valley-locked spin photocurrent in ion-liquid gated WSe2 transistor by the circular photogalvanic effect and extract the spin-polarized current in the Bi2Se3 topological insulator using the spin-momentum locking.
机译:使用横向WSe 2 -石墨烯双 2 3 通过异质结构,我们通过圆形光电流效应在离子液体门控WSe2晶体管中产生了谷锁相旋自旋光电流,并利用自旋动量锁相提取了Bi2Se3拓扑绝缘体中的自旋极化电流。

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