低RTSノイズ，高飽和電荷数を有する0.8μm画素ピッチCMOSイメージセンサ

摘要

0.8μm画素ピッチ，32メガのCMOSイメージセンサを開発したので報告する.本稿では垂直転送ゲートを開発し，画素レイアウトの再設計を行うことで1.2e-のノイズと5000e-の飽和電荷数を達成した.また，ランダムテレグラフノイズは0.9μm画素と比較して70%改善することに成功した.