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Single-photon detection in 900 nm range using InGaAs/InP single-photon avalanche diode

机译:使用InGaAs / InP单光子雪崩二极管在900 nm范围内进行单光子检测

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摘要

We report on a free-running single-photon detection at 941 nm using an InGaAs/InP single-photon avalanche diode (SPAD) operated with a passive quenching circuit. Adopting an avalanche signal height discrimination method, we can distinguish the photon-detection events from afterpulse noise events efficiently. The single-photon detection efficiency of 42 % was achieved with a dark count rate of 2 kHz and an afterpulse probability of 16 %.
机译:我们报告了使用InGaAs / InP单光子雪崩二极管(SPAD)和无源淬火电路在941 nm处自由运行的单光子检测。采用雪崩信号高度判别方法,可以有效地将光子检测事件与后脉冲噪声事件区分开。在2 kHz的暗计数率和16 \%的后脉冲概率下,单光子检测效率达到42%。

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