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A 10 Gs/s latched comparator witch dynamic offset cancellation in 28 nm FD-SOI process

机译:在28 nm FD-SOI工艺中实现10 Gs / s锁存比较器的动态失调消除

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摘要

This papers presents a high-speed, latched comparator implemented in industrial 28 nm FD-SOI technology. A novel approach to counter the mismatch is proposed. The solution employs trimming the threshold voltage by means of modulating of back-gate polarization of FD-SOI transistors. The comparator is a first step towards the design of a complete 4-bit FLASH analog-to-digital converter, with a sampling frequency of 10 GHz.
机译:本文介绍了一种采用工业28 nm FD-SOI技术实现的高速锁存比较器。提出了一种解决失配的新方法。该解决方案通过调制FD-SOI晶体管的背栅极化来调整阈值电压。该比较器是设计具有10 GHz采样频率的完整4位FLASH模数转换器的第一步。

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