Transient analysis; SRAM cells; Transistors; Measurement; Threshold voltage; Writing;
机译:高密度和低VMIN应用的金属耦合和电荷共享写入电路方案的高密度和电荷共享辅助电路方案的5nm 135 Mb SRAM。
机译:具有高
机译:10-NM SRAM设计使用栅极调制的自塌方写入辅助,可实现175 MV VMIN减少,具有可忽略的电力开销
机译:具有动态写入辅助电路的近阈值SRAM设计
机译:低功耗和工艺变化感知型SRAM和Cache在SRAM电路,架构和组织中的设计容错能力。
机译:利用共价修饰循环的动态特性设计合成模拟生物分子电路
机译:具有90nm CMOS技术的写辅助功能的电荷回收SRAM系统的物理布局设计和分析