高耐圧GaN-HEMTのアバランシェ耐量とそのメカニズム

摘要

GaN-HEMTはSiデバイスと比べて、オン抵抗一耐圧トレードオフやスイッチンダの高速性、高温動作などの点に優れている。最近では、GaN-HEMTがシリコン限界より低いオン抵抗を実現できる事が数多く報告され、また、JEDEC規格に準拠した600Vクラスのデバイスの量産を開始したという報告例もある。