机译:采用0.13μmSiGe BiCMOS技术的10至40 GHz超外差接收器前端
机译:一个71-76GHz宽带接收器前端,用于分阶段阵列应用在0.13 mu SiGe Bicmos技术中
机译:0.13 SiGe BiCMOS技术,f / f为240/330 GHz,栅极延迟低于3 ps
机译:10至40 GHz超差异Ovityne接收器前端在0.13?m sige bicmos技术
机译:完全集成的240 GHz发射器和接收器,用于高数据速率通信=全集成的240 GHz发件人和具有高数据速率的通信推荐
机译:具有认知峰值的50 MHz–10 GHz低功率电阻反馈电流复用混频器用于认知无线电接收器
机译:SiGe-BiCMOS和Si-CMOS中的10-40GHz设计– ud连接技术和电路以最大化 ud性能