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【24h】

First demonstration of an optical content addressable memory (CAM) cell at 10 Gb/s

机译:光学内容可寻址存储(CAM)单元以10 Gb / s的首次演示

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摘要

We experimentally demonstrate the first all-optical Content Addressable Memory (CAM) cell, employing a monolithically integrated InP Flip-Flop and a SOA-MZI XOR gate. Error-free operation during Write operation and Content Addressing is achieved at 10 Gb/s.
机译:我们通过实验演示了第一个全光内容可寻址存储器(CAM)单元,该单元采用单片集成式InP触发器和SOA-MZI XOR门。写操作和内容寻址期间的无错误操作以10 Gb / s的速度实现。

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