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CONTENT ADDRESSABLE MEMORY CELLS AND TERNARY CONTENT ADDRESSABLE MEMORY CELLS

机译:内容可寻址存储器单元和三元可寻址存储器单元

摘要

An embodiment of the invention provides a binary CAM cell. The binary CAM cell includes a storage circuit, a first discharging circuit, and a second discharging circuit. The storage circuit is configured to provide a first stored bit and a second stored bit, which are complimentary bits of each other. The first discharging circuit is configured to either discharge or not discharge a match line according to the first stored bit provided by the storage circuit and a first searched bit provided by a first search line. The first discharging circuit includes a first PMOS transistor. The second discharging circuit is configured to either discharge or not discharge the match line according to the second stored bit provided by the storage circuit and a second searched bit provided by a second search line. The second discharging circuit includes a second PMOS transistor.
机译:本发明的实施例提供了一种二进制CAM单元。二进制CAM单元包括存储电路,第一放电电路和第二放电电路。所述存储电路被配置为提供彼此互补的第一存储位和第二存储位。第一放电电路被配置为根据由存储电路提供的第一存储位和由第一搜索线提供的第一搜索位对匹配线进行放电或不放电。第一放电电路包括第一PMOS晶体管。第二放电电路被配置为根据存储电路提供的第二存储位和第二搜索线提供的第二搜索位对匹配线进行放电或不放电。第二放电电路包括第二PMOS晶体管。

著录项

  • 公开/公告号US2014369103A1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MEDIATEK INC.;

    申请/专利号US201313917662

  • 发明设计人 SHU-HSUAN LIN;

    申请日2013-06-14

  • 分类号G11C15/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:23:55

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