Degradation; Delays; Algorithm design and analysis; Logic gates; Mathematical model; Stress;
机译:并发HCI-NBTI:65nm p沟道SOI MOSFET的最坏情况退化条件
机译:nMOS电容器和nMOSFET中NBTI退化的分析
机译:Nbti和氧化物降解传感器中的功率分析
机译:工作负载感知处理器规模NBTI降级的最差路径分析
机译:VLSI电路中的片上NBTI和栅极氧化物降解感应以及动态管理。
机译:CorrInsights®:膝盖到塔卢斯捐助者的发病率在自体骨质色神经移植后:具有最佳案例和最坏情况分析的META分析
机译:在最坏情况执行时间分析中结合符号执行和路径枚举