抵抗変化型メモリ素子を用いたスパイクタイミングによる ニューラル学習回路

摘要

不揮発性アナログメモリ素子として，MoOx 系の抵抗変化型メモリ（ReRAM）素子を用いて，スパイクタイミングに基づいて抵抗値変化を制御する回路を設計し，基本的な動作確認を行った結果を示した。今回紹介したSTDP を実現するReRAM 制御回路では，用いたReRAM 素子のアナログ的なSET/RESET 動作特性から，抵抗値を減少させる側と増加させる側の制御方法が異なるために2 種類の回路が必要であった。これは制御方法と回路の複雑化を招くが，回路構成としては電圧制御またはパルス制御のどちらにも対応できる手法を提案したと言える。