AlGaN; Ultraviolet; Silicon; AlN; Photodetector; Substrate Removal;
机译:通过MOCVD对基于后照射的Algan的太阳盲紫外光探测器的ALN模板的优化生长
机译:n-AlGaN插入层对背照式AlGaN基p-i-n紫外光电探测器性能的影响
机译:高度太阳盲的紫外线选择性金属半导体 - 金属光电探测器,基于背照射的AlGaN异质结构,具有集成光子晶体过滤器
机译:在硅基板上生长AlGaN,这是一种制造背照式紫外线光电探测器的新颖方法
机译:在碳化硅衬底上生长和制造深紫外发光二极管
机译:紫外光电探测器上硅上Ga2O3纳米线的生长
机译:GaN / alGaN背照式多量子阱肖特基势垒紫外光电探测器