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机译:对TFET非理想性效应测定亚60mV / DEC TFET的几何形状和缺陷密度要求的研究
机译:用于TFET应用的GE-MOS2 PN二极管
机译:使用Gasb / GaAs进行栅极工程垂直TFET的研究
机译:应变与尺寸效应纳米级完全耗尽的应变-SIE TFET的阈值电压