True green and yellow low-threshold II-VI laser heterostructures for II-VI/III-N laser diode converters

机译：适用于II-VI / III-N激光二极管转换器的真正的绿色和黄色低阈值II-VI激光异质结构

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We report on recent progress in developing green-yellow (530-590 nm) II-VI/III-N micro-chip laser converters comprising low-threshold (0.8-2.5 kW/cm) II-VI laser heterostructures with CdSe/Zn(Cd)Se quantum dot active region, optically pumped by InGaN laser diodes.

机译：我们报告了开发具有CdSe / Zn（-）的低阈值（0.8-2.5 kW / cm）II-VI激光异质结构的绿黄（530-590 nm）II-VI / III-N微芯片激光转换器的最新进展Cd）Se量子点有源区，由InGaN激光二极管进行光泵浦。

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来源
《Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim》|2015年|1-2|共2页
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作者
S. V. Ivanov; S. V. Sorokin; S. V. Gronin; I. V. Sedova; A. G. Vainilovich; E. V. Lutsenko;
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