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【24h】

GeSn optical gain media towards monolithic 3D photonic integration

机译:GeSn光增益介质向单片3D光子集成迈进

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摘要

We present pseudo-single-crystal, direct band gap GeSn gain media fabricated at <;450 °C on dielectric layers towards monolithic 3D photonic integration. A high transient optical gain ~5000 cm has been at λ=2100-2200 nm at 300K.
机译:我们介绍了伪单晶,直接带隙GeSn增益介质,该介质在<; 450°C的条件下在电介质层上朝着单片3D光子集成方向制造。在300K处的λ= 2100-2200 nm处具有约5000 cm的高瞬态光学增益。

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