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Broadband GaAs MMIC frequency doublers with improved harmonic suppression

机译:具有改善的谐波抑制能力的宽带GaAs MMIC倍频器

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摘要

This paper presents a 12-26 GHz GaAs MMIC passive frequency doublers with improved harmonic suppression. The original topologies of the frequency doublers were designed. MMICs were produced using GaAs Schottky diodes technology (“Micran” fab). The circuit is designed for a nominal value of input power of +15dBm, a conversion loss of 15 dB.
机译:本文提出了一种具有改进谐波抑制功能的12-26 GHz GaAs MMIC无源倍频器。设计了倍频器的原始拓扑。 MMIC是使用GaAs肖特基二极管技术(“ Micran”制造厂)生产的。该电路的设计输入功率标称值为+ 15dBm,转换损耗为15 dB。

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