Parity check codes; Decoding; Flash memories; Redundancy; Bit error rate; Proposals; Reed-Solomon codes;
机译:带有自适应码字纠错码的非易失性随机存取存储器和NAND闪存集成固态驱动器,可将原始误码率提高3.6倍,功耗降低97%
机译:用于49ns / 200MHz访问时间的1.8V 256Mb 2位每单元闪存的虚拟地面感应技术
机译:通过推断的擦除解码缓解MLC NAND闪存中的卡滞单元故障
机译:使用新型信息论技术对付闪存中滞留单元的位错误
机译:用于快速,低功耗,1.8V每单元两位的虚拟地感应技术。
机译:9月11日的恐怖袭击事件的长期记忆:Flashbulb MemoriesEvent Memories以及影响其保留的因素
机译:部分卡存储器单元的纠错