2次元過渡応答磁場解析による磁気飽和が誘導機の一次インピーダンスに与える影響の考察

摘要

本稿では，閉スロット構造の誘導機を対象として重畳信号レベルに対する主磁束及び漏れ磁束飽和のインピーダンス特性への影響について，2次元過渡応答磁場解析及び実機試験から得られた結果を比較することで検討及び考察した。結果として，実機試験と同様にFEMにおいても重畳電圧レベルの大小によってインピーダンス特性の突極位置が変化し，その原因として主磁束及び漏れ磁束の影響を調べるために回転子表面付近における磁束密度の変化を示した。